机译:Ga和as从半绝缘Gaas衬底异常扩散到mOCVD生长的ZnO薄膜中作为退火温度的函数及其对电荷补偿的影响
机译:Ga和As从半绝缘GaAs衬底向MOCVD生长的ZnO薄膜中的异常扩散与退火温度的关系及其对电荷补偿的影响
机译:在通过MOCVD生长的ZnO薄膜上,标称0.25°朝α平面(1120)错切的α-Al_2O_3(0001)衬底的高温退火效应
机译:通过MOCVD在GaAs衬底上生长的ZnO膜:Zn缓冲液沉积对界面,结构和形态特性的影响
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:ZnO和ZnO基薄膜合金退火的函数的温度依赖带边缘分布分析
机译:退火温度对柔性衬底上掺杂Ti-Ga的ZnO薄膜性能的影响
机译:Ga和As从半绝缘GaAs衬底到MOCVD生长的ZnO薄膜中的异常扩散与退火温度的关系及其对电荷补偿的影响
机译:mBE(分子束外延)在低衬底温度和生长速率下生长的Gaas薄膜的研究。